ZnO纳米棒阵列相关论文
氧化锌（ZnO）是一种非常重要的直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度约为3.37 e V,较大的激子束缚能（60 me V）,具有良好的光电特性、易......
ZnO作为一种典型的第三代半导体,凭借其3.37 e V的禁带宽度和60 me V的室温激子束缚能,成为非常有潜力的短波长半导体发光器件的候......
空间环境污染监测中,石英晶体微天平(QCM)传感器可通过增加比表面积增强对有机污染分子的吸附能力,通过表面超疏水化减小水分子的......
本研究采用低温水浴法在玻璃衬底上首先沉积一层ZnO纳米棒阵列(NRAs)，并以此为基底溅射获得Al掺杂ZnO (AZO)薄膜。该层薄膜继承......
在人类文明的快速发展过程中,随着自然资源的严重损耗,能源危机和环境问题变得不可避免。由于绿色、环保和经济的特点,光催化技术......
具有特定成分的一维纳米材料被广泛用来提高光探测器性能,同时也可以用来实现器件的微型化。根据光探测器的工作模式,可将其分为两......
紫外光探测器目前已广泛应用于空间通信、环境监测、航空航天、化学分析等多种领域,研究具有良好性能的紫外光探测器很有必要。单......
紫外探测技术在空间通讯、污染监测以及生物医学领域都有着广泛应用,已经成为一项新型军民两用技术。与传统商业使用得光电倍增管......
采用水热法制备了Er3+掺杂的ZnO纳米棒阵列,通过场发射扫描电镜、X单晶衍射谱仪、透射电镜、微区显微光谱仪等对其形貌结构和发光......
应用阴极恒电流电沉积法,以ZnC l2水溶液为电解液,在经预处理的ITO导电玻璃上制备ZnO纳米棒阵列,扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(......
采用溶胶-凝胶法和旋转涂覆法在FTO导电玻璃上制备ZnO种子层,以Zn(NO3)2和六亚甲基四胺(HMT)的混合溶液为生长液在ZnO种子层上制备......
采用CBD两步生长法制备ZnO纳米棒阵列,分别选择ZnO粉末,Zn粉以及醋酸锌(Zn(OOCCH3)2.2H2O)低温分解的ZnO纳米颗粒作为晶核层.结果......
采用水热法制备垂直于FTO导电玻璃基底的ZnO纳米棒阵列,然后通过电化学沉积法在ZnO纳米棒阵列上沉积CdS纳米晶,形成CdS/ZnO核壳纳......
Cu_2ZnSnS_4(CZTS)禁带宽度为1.5 eV,在可见光区具有很高的光吸收系数(>104cm-1),同时具有绿色、廉价等优点。Cu_2ZnSnS_4胶体量子......
ZnO是一个有着极大潜力的半导体材料,有许多实际方面的应用,如压电式转换器、表面声波器件、光波导管、变阻器、透明导电氧化物、......
ZnO一维纳米材料因其优异的光电性质成为当前ZnO材料研究中的热点之一。利用纳米生长技术使光学活性半导体生长为纳米柱阵列,从而......
作为一种新型的太阳能电池，染料敏化太阳能电池(DSSC)因其低成本、高转换效率以及相对于传统的硅电池较为简便的制备工艺而受到广泛......
ZnO作为直接带隙半导体材料，其禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能为60 meV，在蓝紫光发光二极管（LEDs）、激光器（LDs）、光电探测器等短波长光电......
随着传统化石能源的消耗,发展新能源已经成为世界性的重点研究课题。将太阳能转变为电能的光伏器件就是其中重要的研究课题之一。......
无机纳米半导体材料作为一类宽禁带、高激子结合能半导体而广泛应用于短波激光器、染料敏化太阳能电池等光电器件中,具有广阔的应......
采用两步法制备ZnO纳米棒阵列，先用磁控溅射在Si(100)表面生长一层ZnO籽晶层，再利用液相法制备空间取向高度一致的ZnO纳米棒阵列。我......
自1991年染料敏化太阳能电池(DSSC)问世，便成为太阳电池领域研究的热点，为提高电池的效率，科研人员作了大量研究。不论是对于传统的液......
利用化学溶液沉积法,以Zn(CH3COO)2.2H2O、六次甲基四胺为原料制备了规整而有序的ZnO纳米棒阵列。用FESEM、XRD等考察种子液浓度、......
以ZnO纳米棒阵列为研究对象,通过在晶种层中添加表面活性剂来改善水热合成ZnO纳米棒阵列的形貌、结构及其发光性能。结果表明:当添......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用两步法,即先用磁控溅射在Si(100)表面生长一层ZnO籽晶层、再利用液相法制备空间取向高度一致的ZnO纳米棒阵列.用扫描电子显微......
通过改进传统水热法的密闭、高压的条件,在非密闭、常压环境下在氧化铟锡玻璃衬底上自组装生长了取向高度一致并且分散性好的ZnO纳......
采用两步法,即先用磁控溅射在Si(100)表面生长一层ZnO籽晶层、再利用液相法制备空间取向高度一致的ZnO纳米棒阵列.用扫描电子显微......
基于p-n结的光生伏特效应可构筑性能优异的UV探测器,本文采用水热法可控制备竖直排列的氧化锌纳米棒阵列(n型ZnO-NRs),利用原位聚......
ZnO纳米棒阵列是近来研究较多的光催化剂,通过银等贵金属修饰可提高光催化活性。以硝酸锌和六亚甲基四胺为前驱物,通过优化水热合......
采用简单的化学溶液生长法,在Ag棒表面包覆生长一层ZnO纳米棒阵列.利用该结构光电催化降解罗丹明B,其效率远高于电降解和自降解,约......
采用恒电位电沉积方法，在未经修饰的ITO导电玻璃基底上通过控制实验条件制备出不同形貌的纳米ZnO结构，而在经过ZnO纳米粒子膜修饰后......
利用湿化学法在FTO玻璃基底上制备了高度规整的ZnO纳米棒阵列（ZnO NRAs）,以此为衬底,采用磁控溅射法在ZnO NRAs表面沉积Cu2O薄膜。分......
采用醋酸锌和六亚甲基四胺为源,95℃下在生长ZnO籽晶的玻璃衬底上生长了大面积分布均匀的ZnO纳米棒阵列.用X射线衍射仪、扫描电镜......
采用水热合成方法制备了ZnO纳米棒阵列，并对水热过程中ZnO纳米棒阵列形貌的影响因素进行了考察，发现高浓度的前驱液和籽晶层辅助生长......
通过两步法制备了由ZnO纳米棒阵列和Cu2O薄膜组成的异质结。首先利用低温湿化学法在掺氟的SnO2导电玻璃（比较FTO）上生长ZnO纳米棒阵......
利用化学水浴法在预先制备的聚酰亚胺（PI）/ZnO薄膜衬底上生长ZnO纳米棒阵列.通过X线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对ZnO纳米棒阵列进......
在低温条件下,采用化学溶液沉积法（CBD）生长出ZnO纳米棒.探讨了反应的最佳温度,并在最佳实验条件下成功在光滑的玻璃衬底上制备了近......
采用CBD两步生长法制备ZnO纳米棒阵列，分别选择ZnO粉末，历粉以及醋酸锌（Zn（OOCCH3）2·2H2O）低温分解的ZnO纳米颗粒作为晶核层．结果表......
为了提高大功率LED的光抽取效率，采用溶胶-凝胶法、水热生长法的两步生长工艺在大功率红光发光二极管（LEDs）表面制作ZnO纳米棒阵列结......
采用脉冲激光沉积结合化学气相沉积方法在p-Si（111）衬底上制备了呈直立生长的ZnO纳米棒阵列,并且研究了氧流量对ZnO纳米棒尺寸、结晶......
采用水热合成法制备了ZnO纳米棒阵列。利用SEM和XRD对ZnO纳米棒的形貌和物相结构进行了表征。研究了光照时间、pH、ZnO投加量等因......
采用电化学方法在铟锡氧化物（ITO）导电玻璃上制备了高度有序的ZnO纳米棒阵列，在ZnO纳米棒阵列上先后电化学沉积CdS纳米晶膜及聚3-己基......
采用水热法以Zn(CH3COO)2和NH3.H2O作为原材料,以Zn片作为锌源,在75℃下合成了大量的ZnO微/纳米管结构.通过改变反应时间、反应温......
采用两步低温水热法在Si片衬底上制备形貌规整的ZnO 纳米棒阵列，纳米棒长度约为5μm 。利用扫描电镜（SEM ）、PL光谱测试对ZnO纳米棒的......
以硝酸锌和六亚甲基四胺为主要原料，采用简单、低温的水热法在预先用金红石二氧化钛薄膜修饰过的硅基体上生长了高取向性的ZnO纳米......
使用低温水热法在Si衬底上生长ZnO纳米棒阵列.通过X射线衍射和扫描电子显微镜对ZnO纳米棒的结晶性和形貌进行观测.结果表明,六棱柱......
通过预加热处理完成了氧化锌（ZnO）种子层的制备,在种子层退火之后利用水浴法生长制备了排列有序的ZnO纳米棒阵列.采用扫描电子显微镜......
